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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 北京人上科技有限公司

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  • 深圳市森兴泰科技有限公司

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SIR818DP-T1-GE3产品参数和技术文档

SIR818DP-T1-GE3产品图

SIR818DP-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.61985
$1,859.55

SIR818DP-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET?

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):95nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3660pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):5.2W(Ta),69W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerPAK? SO-8

封装/外壳:PowerPAK? SO-8

标准包装:3,000

其它名称:SIR818DP-T1-GE3-ND SIR818DP-T1-GE3TR

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