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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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IRF6645TRPBF产品参数和技术文档

IRF6645TRPBF产品图

IRF6645TRPBF产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
4,800
0.71183
$3,416.78

IRF6645TRPBF产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.7A(Ta),25A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SJ

制造商:Infineon Technologies

系列:HEXFET?

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Ta),25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 5.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):890pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.2W(Ta),42W(Tc)

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DIRECTFET? SJ

封装/外壳:DirectFET? 等容 SJ

标准包装:4,800

其它名称:IRF6645TRPBFTR SP001562050

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