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2SK2463T100产品参数和技术文档

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$304.08

2SK2463T100产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 500mW(Ta) MPT3

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):200pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):500mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:MPT3

封装/外壳:TO-243AA

标准包装:1,000

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